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谐振型半桥电路 和全桥电路是最有用的 SCR 电路。半桥电路仅用 两个额定有效值为 SOOY 、45A 的 SCR ( Marconi ACR25U08LG ),就能够从经过整流的220V交流电网上获取高达4kW的交流或直流输出功率。若器件额定电压为1200V,则用全桥电路能够输出8kW的功率。全桥...
www.kiaic.com/article/detail/192.html 2018-03-29
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两个相同的单端正激变换器交替工作 ( 各占半个周期) ,其次级电流经过 整流二极管相加 其拓扑。这种拓扑的优点是每周期有两个功率脉冲 ,且每个变换器只提供总输出 功率的一半式 C 2.28 ) 给出了开关管等效平顶电流幅值 /pft = 3.13P,,J 2飞 ,某中凡 为总...
www.kiaic.com/article/detail/194.html 2018-03-29
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磁放大器只是用来调理辅输出电压 。它经过控制初始磁通密度 Bl 来控制输 出。Bl 越低,关断时间 tb 越长,即导通时间 tf 越短 ,直流输出电压越低 。
www.kiaic.com/article/detail/195.html 2018-03-29
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减缓开关管电压的上升速度 ,缓冲器的另一个很重要的优点是减小了开关管的 均匀损耗,避免了二次击穿。二次击穿发作在电压 、电流经过基极反向偏置平安工作区的瞬 间。
www.kiaic.com/article/detail/196.html 2018-03-29
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关断霎时 ,上升的漏极电压上有漏感尖峰 。尖峰的数值由 RCD 缓冲器的电容 C2 控制。这个电容应选得足够大 ,既能限制漏感尖峰以保证开关管平安 ,又不 会使缓冲器电阻 RI 上的损耗 C 0.5C2(Vpea1c )2 IT ) 过大。
www.kiaic.com/article/detail/197.html 2018-03-29
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瞬时正弦半波输入电压 。当导通时间国定时,关断时间与凡 有关并按式 C 15.18)改动。因而频率 随着正弦半波电压飞 改动。电感L 的值要设计得相当小 ,但要可以接受请求的输出功率下的尖峰电流 。关于大电感( 超越 lmH 的),当电流超越 2A 时还不会饱...
www.kiaic.com/article/detail/198.html 2018-03-29
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①由于高压MOSFETPWM及驱动电路等集成在一个芯片里,大大提高了电路的集成度,所以用该芯片设计的开关电源,外接元器件少,可降低成本,缩小体积,提高可靠性;②内置高压MOSFET,寄生电容小,可减少交流损耗;内置的启动电路和电流限制减少了直流损耗,加上CM...
www.kiaic.com/article/detail/213.html 2018-03-29
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在开关调整器范畴 ,任何使输入电网电流为非正弦 ,或即便是正弦波但和正弦输入电压 不同相位 ,或使输入电流具有谐波的电路构造都会降低功率因数从而产生功率损耗 。本章引见的功率因数校正电路 ,能使输入端的电网电流正弦化井和输入电网电压同相 位,而且能...
www.kiaic.com/article/detail/199.html 2018-03-29
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推挽拓扑输出功率及输入电压的限制推挽电路除了磁通不均衡问题外 ( 该问题在电流形式推挽拓扑中不存在) ,其输出功率 会遭到的限制,而输入电压会遭到 的限制。 给出了不同预期输出功率 卡的开关管幅值电流 , 给出 f 对应最大直流输入电压下的开关管最大电压...
www.kiaic.com/article/detail/200.html 2018-03-29
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电流选择次级和输出电感线径 、整流 极管和续流二极管额起电流时 ,需求晓得各自输出电 流的幅值和波形 。所述的 buck 调整器相似 ,QI 导通时,次级恒定电压加在输出电感两端 ( 其输 入端相关于输陪i端为正) 使次级电流具有阶梯斜坡的特征 ,QI 关断时,电感...
www.kiaic.com/article/detail/201.html 2018-03-29
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?射极开路的时分,集射极间能够承受的最大电压 。它是器件的最小额定电压。假设基射极间的电阻很小 ( 50 lOO!l) ,那么在关断状态下晶体管能够承受一个更高的电压。
www.kiaic.com/article/detail/202.html 2018-03-29
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buck电流馈电全桥拓扑逐个根本工作原理这种拓扑如图 所示。它与图所示的 buck 电压馈电全桥电路相似,同样没有输出电感。但还比 后电路少了 buck 滤波电容 Cl 。不过可以为此处仍有一个由次级输出 电容依据变压器臣比平方关系折射的当量电容 CIV ,其滤波功用...
www.kiaic.com/article/detail/203.html 2018-03-29
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功率场效应晶体管(P-MOSFET)简称功率MOSFET,是使用大都载流子导电的半导体器材,且导通时只要一种极性的载流子参加导电,是单极型晶体管。与使用少数载流子导电的双极型功率晶体管比较,功率 MOSFET 只靠单一载流子导电 ,不存在存储效应 ,因而其关断进程十...
www.kiaic.com/article/detail/206.html 2018-03-29
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在离线反激变换器中用到高压双极型晶体管的地方 ,也许会碰到tl 800V 级别的电 压。V阳额定值在 400V 到 1000V 之间的高压晶体管与低压三极管的对应性能会有点 不同。这是由于高压器件的 结构与低压器件的结构有根本的不同 。为了获得更有效 、更高速和更可靠的...
www.kiaic.com/article/detail/208.html 2018-03-29